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IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件，已广泛应用于电力电子相关行业，一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪，是一种全新的功率半导体器件参数测试仪器，可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用，通过友好人机界面操作，便于各测试参数的组合、数据结果以表格形式呈现，具有使用便捷、测试精度高等优点，适合于各测试器件使用现场及产线维护场合使用。测试范围
| 栅极 发射极 | Vges：1-40V 分辨率0.1VIges：0.1-10uA 分辨率0.01uA Vce：0V |
| 集电极 发射极 | Vces：100-2000V 分辨率10V Ices：100uA-5mA 分辨率10uA |
| 栅极发射极阈值电压 | Vge(th)：1-10V 分辨率 0.1V |
| 集电极/发射极 饱和电压 | Vce(sat)：0.2-5V 分辨率0.01V Ice：10-500A 分辨率1A |
| 二极管 压降 | VF：0.01-5V 分辨率0.01V; IF：1-500A 分辨率1A Vge：0V; Vces：100V |
| 二极管反向大可恢复直流电压 | Vces：100-2000V 分辨率10VIces：100uA-5mA 分辨率10uA |